էլեկտրոնիկայի ինստիտուտ

PanARMENIAN.Net-ի հաղորդմամբ՝ ՀՀ ԳԱԱ Ռադիոֆիզիկայի և էլեկտրոնիկայի ինստիտուտի և Ռուս-Հայկական համալսարանի համատեղ կիսահաղորդչային նանոէլեկտրոնիկայի լաբորատորիայում՝ ապակե և պոլիմերային տակդիրների վրա աճեցվել են անցումային մետաղների երկքալկոգենիտների դասին պատկանող մոլիբդենի երկսուլֆիդի (MoS2) գերբարակ, ատոմական հաստության, մինչև 1 սմ2 մակերեսով, երկչափ (2D) կիսահաղորդիչներ, որոնք մոտակա տասնամյակում կարող են դառնալ թափանցիկ, ճկուն և ծալվող էլեկտրոնիկայի հիմքը: Լաբորատորիայի վարիչ, ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների…